FMUSER Orihinal na Bagong MRF173 RF Power Transistor Power MOSFET Transistor-RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast One-Stop Supplier

FMUSER Orihinal na Bagong MRF173 RF Power Transistor Power MOSFET Transistor Paglalarawan Idinisenyo para sa broadband komersyal at mga aplikasyon ng militar hanggang sa 200 MHz saklaw ng dalas. Ang pagganap ng mataas na lakas, mataas na pakinabang at broadband ng aparatong ito ay nagbibigay ng mga posibleng solidong transmitter ng estado para sa mga broadcast ng FM o mga channel ng dalas ng TV channel. Tampok Garantisadong pagganap sa 150 MHz, 28 V: Output power = 80 W Gain = 11 dB (13 dB type.) Kahusayan = 55% min. (60% na uri.) Mababang paglaban ng thermal Ang pagsubok ay nasubok sa na-rate na output na kapangyarihan Nitride passivated die para sa pinahusay na pagiging maaasahan Mababang figure ng ingay - 1.5 dB type sa 2.0 A, 150 MHz Mahusay na thermal stabilidad; su

detalye

Nakaraan:FMUSER Orihinal na Bagong MGF2430A RF Power Transistor Power MOSFET Transistor

Next:FMUSER Orihinal na Bagong MRF171A RF Power Transistor Power MOSFET

Presyo (USD)	Dami (PCS)	Shipping (USD)	Total (USD)	Pamamaraan ng Pagpapadala	pagbabayad
58	1	0	58	ermeyl
				ermeyl

FMUSER Orihinal na Bagong MRF173 RF Power Transistor Power MOSFET Transistor

paglalarawan

Dinisenyo para sa mga aplikasyon ng broadband na komersyal at militar hanggang sa
Saklaw ng dalas ng 200 MHz. Ang high-power, high – gain at broadband
ang pagganap ng aparatong ito ay ginagawang posible ang mga solid state transmitter para sa

Mga banda ng dalas ng broadcast ng FM o TV channel.

tampok

Garantisadong pagganap sa 150 MHz, 28 V:
Output na lakas = 80 W
Makuha = 11 dB (13 dB type.)
Kahusayan = 55% min. (60% na uri.)
Mababang thermal resistensya
Sinubukan ang higpit sa na-rate na lakas ng output
Nitride passivated die para sa pinahusay na pagiging maaasahan
Mababang pigura ng ingay - 1.5 dB type sa 2.0 A, 150 MHz

Mahusay na katatagan ng thermal; angkop para sa operasyon ng Class A