FMUSER Orihinal na Bagong MRF171A RF Power Transistor Power MOSFET-RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast One-Stop Supplier

FMUSER Orihinal na Bagong MRF171A RF Power Transistor Power MOSFET Transistor Paglalarawan Idinisenyo lalo na para sa wideband malalaking – signal output at mga yugto ng driver mula 30-200 MHz. Mga Tampok ● N – Channel Enhancement Mode MOSFET ● Mahusay na Thermal Stability na angkop para sa Operasyon ng Cass ● Garantisadong pagganap sa 150 MHz, 28 Vdc: Output power = 45 W, ● Power gain = 17 dB (min) 'Efficiency = 60% (min) ● Karaniwang Data para sa Mga Application ng Power Amplifiers sa Industrial, ● Komersyal at Amateur na Kagamitan sa Radyo: ● Karaniwang pagganap sa 30 MHz, 28 Vdc: Output Power = 30 W, Power ● makakuha = 20 dB (Typ.) (PEP), Efficiency = 50 % (type.), IMD (d3) (30 W PEP) –32 dB (

detalye

Nakaraan:FMUSER Orihinal na Bagong MRF173 RF Power Transistor Power MOSFET Transistor

Next:MRFE6VP5300N RF POWER MOSFET TRANSISTOR

Presyo (USD)	Dami (PCS)	Shipping (USD)	Total (USD)	Pamamaraan ng Pagpapadala	pagbabayad
56	1	0	56	ermeyl
				ermeyl

FMUSER Orihinal Bago MRF171A RF Power Transistor Power MOSFET Transistor

paglalarawan

Pangunahin na dinisenyo para sa wideband malaking – signal output at driver mga yugto mula 30-200 MHz.

Mga tampok

●N – Channel Pagpapahusay Mode MOSFET
●Mahusay na Katatagan ng Thermal na angkop para sa Cass Isang Operasyon
●Garantisadong pagganap sa 150 MHz, 28 Vdc: Output power = 45 W,
●Pagkuha ng kuryente = 17 dB (min) 'Kahusayan = 60% (min)
●Karaniwang Data para sa Mga Application ng Power Amplifiers sa Industrial,

●Komersyal at Amateur na Kagamitan sa Radyo:

●Karaniwang pagganap sa 30 MHz, 28 Vdc: Output Power = 30 W, Power

●makakuha = 20 dB (Type.) (PEP), Kahusayan = 50% (type.), IMD (d3) (30 W PEP) –32 dB (Uri.)
●Gold Nangungunang Metal
●Mababang Crss - 8 pF @ VDS = 28 V
●100% Nasubukan para sa Load Mismatch sa lahat ng mga Phase Angles na may 30: 1 VSWR
●Pinadadali ang Manwal na Pagkuha ng Kontrol, ALC at Mga Diskarte sa Modulasyon