add Favorite set Homepage
Puwesto:Tahanan >> Mga Produkto >> RF transistor

Products Kategorya

Produkto Tags

Fmuser Sites

FMUSER Orihinal na Bagong MRF6VP2600H RF Power Transistor MOSFET Transistor 500MHz 600W Lateral N-Channel Broadband

FMUSER Orihinal na Bagong MRF6VP2600H RF Power Transistor MOSFET Transistor 500MHz 600W lateral N-Channel Broadband Pangkalahatang-ideya Ang MRF6VP2600H ay pangunahin na idinisenyo para sa mga aplikasyon ng wideband na may mga dalas hanggang 500 MHz. Ang aparato ay hindi tugma at angkop para magamit sa mga application ng pag-broadcast. Mga Tampok * Karaniwang Pagganap ng DVB-T OFDM: VDD = 50 Volts, IDQ = 2600 mA, Pout = 125 Watts Avg., F = 225 MHz, Channel Bandwidth = 7.61 MHz, Input Signal PAR = 9.3 dB @ 0.01% Probability sa CCDF. Lakas na Pagkuha: 25 dBDrain Kahusayan: 28.5% ACPR @ 4 MHz Offset: –61 dBc @ 4 kHz Bandwidth * Karaniwang Pulsed Performance: VDD = 50 Volts, IDQ = 2600 mA, Pout = 600 Watts Peak, f = 225 MHz, Pulse Width = 100

detalye

Presyo (USD) Dami (PCS) Shipping (USD) Total (USD) Pamamaraan ng Pagpapadala pagbabayad
245 1 35 280 DHL

 


FMUSER Original New MRF6VP2600H RF Power Transistor MOSFET Transistor 500MHz 600W lateral N-Channel Broadband

Pangkalahatang-ideya

Ang MRF6VP2600H ay dinisenyo lalo na para sa mga aplikasyon ng wideband na may mga frequency hanggang sa 500 MHz. Ang aparato ay walang kaparis at angkop para gamitin sa mga application ng broadcast.



Mga tampok

Karaniwang Pagganap ng DVB-T OFDM: VDD = 50 Volts, IDQ = 2600 mA, Pout = 125 Watts Avg., F = 225 MHz, Channel Bandwidth = 7.61 MHz, Input Signal PAR = 9.3 dB @ 0.01% Probability on CCDF. Power Gain : 25 dBDrain Efficiency: 28.5% ACPR @ 4 MHz Offset: –61 dBc @ 4 kHz Bandwidth

Karaniwang Pulsed Pagganap: VDD = 50 Volts, IDQ = 2600 mA, Pout = 600 Watts Peak, f = 225 MHz, Pulse Width = 100 µsec, Duty Cycle = 20% Power Gain: 25.3 dBDrain Efficiency: 59%

May kakayahang Pangasiwaan ang 10: 1 VSWR, @ 50 Vdc, 225 MHz, 600 Watts Peak Power, Pulse Lapad = 100 μsec, Duty Cycle = 20%

Na-characterize sa Mga Parameter ng Katumbas na Malaking-Signal Impedance Parameter

Kakayahan ng CW Operation na may sapat na Paglamig

Kwalipikado Hanggang sa isang Maximum na 50 VDD Operation

Pinagsama-samang mga ESD Proteksiyon

Idinisenyo para sa Push-pull Operation

Mas mataas na Negatibong Gate-Source Voltage Range para sa Pinahusay na Class C Operation

RoHS compliant

Sa Tape at Reel. R6 Suffix = 150 Units per 56 mm, 13 inch Reel.



detalye

Dalas (Min) (MHz): 2

Dalas (Max) (MHz): 500

Supply Boltahe (Typ) (V): 50

P1dB (Typ) (dBm): 57.8

P1dB (Typ) (W): 600

Output Power (Typ) (W) @ Intermodulation Level sa Test Signal: 125.0 @ AVG

Test Signal: OFDM

Power Gain (Typ) (dB) @ f (MHz): 25.0 @ 225

Kahusayan (Typ) (%): 28.5

Thermal Resistance (Spec) (℃ / W): 0.2

Pagtutugma: walang kaparis

Class: AB

Mamatay Teknolohiya: LDMOS




 

 

Presyo (USD) Dami (PCS) Shipping (USD) Total (USD) Pamamaraan ng Pagpapadala pagbabayad
245 1 35 280 DHL

 

Mag-iwan ng mensahe 

Pangalan *
Email *
telepono
address
kodigo Tingnan ang verification code? I-click ang i-refresh!
mensahe
 

Listahan ng Mensahe

Comments Loading ...
Tahanan| Tungkol sa Amin| Mga Produkto| Balita| Download| Suporta| feedback| Makipag-ugnayan sa amin| serbisyo

Contact: Zoey Zhang Web: www.fmuser.net

Whatsapp / Wechat: + 86 183 1924 4009

Skype: tomleequan Email: [protektado ng email] 

Facebook: FMUSERBROADCAST Youtube: FMUSER ZOEY

Address sa English: Room305, HuiLanGe, No.273 HuangPu Road West, TianHe District., GuangZhou, China, 510620 Address sa Chinese: 广州市天河区黄埔大道西273号惠305兰阘(E3E)